irf9230 transistor de hoja de datos pdf

IRF9230
fabricante : International Rectifier
descripción : TRANSISTORS P-CHANNEL(Vdss=-200V, Rds(on)=0.80ohm, Id=-6.5A)

IRF9230
fabricante : Samsung semiconductor
descripción : P-CHANNEL POWER MOSFETS

IRF9230
fabricante : Seme
descripción :

IRF9230
fabricante : Intersil Corporation
descripción :

IRF9230
fabricante : IRF[International Rectifier]
descripción : TRANSISTORS P-CHANNEL(Vdss=-200V, Rds(on)=0.80ohm, Id=-6.5A)

IRF9230
fabricante : Samsung semiconductor
descripción : P-CHANNEL POWER MOSFETS

IRF9230
fabricante : Seme LAB
descripción : P-CHANNEL POWER MOSFET

IRF9230
fabricante : Intersil Corporation
descripción : -5.5A and -6.5A, -150V and -200V, 0.8 and 1.2 Ohm, P-Channel Power MOSFETs

IRF9230
fabricante : Intersil Corporation
descripción : -5.5A and -6.5A, -150V and -200V, 0.8 and 1.2 Ohm, P-Channel Power MOSFETs

IRF9230
fabricante : Seme LAB
descripción : P-CHANNEL POWER MOSFET

IRF9230
fabricante : Semelab
descripción : 200V Vdss P-Channel FET (field effect transistor)

IRF9230
fabricante : Intersil
descripción : -5.5A and -6.5A, -150V and -200V, 0.8 and 1.2 Ohm, P-Channel Power MOSFETs

IRF9230
fabricante : IR
descripción : Repetitive avalanche and dv/dt rated HEXFET transistor thru-hole(TO-204AA/AE). BVDSS = -200V, RDS(on) = 0.80 Ohm, ID = -6.5A