irf430 transistor de hoja de datos pdf

IRF430
fabricante : Samsung semiconductor
descripción : N-CHANNEL POWER MOSFETS

IRF430
fabricante : Seme
descripción : N-CHANNEL POWER MOSFET

IRF430
fabricante : Intersil Corporation
descripción : 4.5A, 500V, 1.500 N-Channel Power MOSFET

IRF430
fabricante : International Rectifier
descripción : TRANSISTORS N-CHANNEL(Vdss=500V, Rds(on)=1.5ohm, Id=4.5A)

IRF430
fabricante : Fairchild Semiconductor
descripción :

IRF430
fabricante : SAMSUNG[Samsung semiconductor]
descripción : N-CHANNEL POWER MOSFETS

IRF430
fabricante : Seme LAB
descripción : N-CHANNEL POWER MOSFET

IRF430
fabricante : Fairchild Semiconductor
descripción : N-Channel Power MOSFETs, 4.5 A, 450V/500V

IRF430
fabricante : Intersil Corporation
descripción : 4.5A, 500V, 1.500 Ohm, N-Channel Power MOSFET

IRF430
fabricante : International Rectifier
descripción : TRANSISTORS N-CHANNEL(Vdss=500V, Rds(on)=1.5ohm, Id=4.5A)

IRF430
fabricante : Fairchild Semiconductor
descripción : N-Channel Power MOSFETs, 4.5 A, 450V/500V

IRF430
fabricante : International Rectifier
descripción : TRANSISTORS N-CHANNEL(Vdss=500V, Rds(on)=1.5ohm, Id=4.5A)

IRF430
fabricante : Intersil Corporation
descripción : 4.5A, 500V, 1.500 Ohm, N-Channel Power MOSFET

IRF430
fabricante : Seme LAB
descripción : N-CHANNEL POWER MOSFET

IRF430
fabricante : IR
descripción : Repetitive avalanche and dv/dt rated HEXFET transistor thru-hole(TO-204AA/AE). BVDSS = 500V, RDS(on) = 1.5 Ohm, ID = 4.5A

IRF430
fabricante : Intersil
descripción : 4.0A and 4.5A, 450V and 500V, 1.5 and 2.0 Ohm, N-Channel Power MOSFETs

IRF430
fabricante : Semelab
descripción : 500V Vdss N-Channel FET (field effect transistor)