irf140 transistor de hoja de datos pdf

IRF140
fabricante : Samsung semiconductor
descripción : N-CHANNEL POWER MOSFETS

IRF140
fabricante : Fairchild Semiconductor
descripción : N-CHANNEL POWER MOSFETS, 60-100V

IRF140
fabricante : Intersil Corporation
descripción : 100V, 0.077 N-Channel Power MOSFET

IRF140
fabricante : Seme
descripción :

IRF140
fabricante : International Rectifier
descripción :

IRF140
fabricante : SAMSUNG[Samsung semiconductor]
descripción : N-CHANNEL POWER MOSFETS

IRF140
fabricante : Seme LAB
descripción : N-CHANNEL POWER MOSFET

IRF140
fabricante : Fairchild Semiconductor
descripción : N-Channel Power MOSFETs, 27 A, 60-100V

IRF140
fabricante : Intersil Corporation
descripción : 28A, 100V, 0.077 Ohm, N-Channel Power MOSFET

IRF140
fabricante : International Rectifier
descripción : TRANSISTORS N-CHANNEL(Vdss=100V, Rds(on)=0.077ohm, Id=28A)

IRF140
fabricante : Fairchild Semiconductor
descripción : N-Channel Power MOSFETs, 27 A, 60-100V

IRF140
fabricante : International Rectifier
descripción : TRANSISTORS N-CHANNEL(Vdss=100V, Rds(on)=0.077ohm, Id=28A)

IRF140
fabricante : Intersil Corporation
descripción : 28A, 100V, 0.077 Ohm, N-Channel Power MOSFET

IRF140
fabricante : Seme LAB
descripción : N-CHANNEL POWER MOSFET

IRF140
fabricante : Intersil
descripción : 28A and 25A, 80V and 100V, 0.077 and 0.100 Ohm, N-Channel Power MOSFETs

IRF140
fabricante : Semelab
descripción : 100V Vdss N-Channel FET (field effect transistor)

IRF140
fabricante : IR
descripción : Repetitive avalanche and dv/dt rated HEXFET transistor thru-hole. BVDSS = 100V, RDS(on) = 0.077 Ohm, ID = 28A.