2sd1616a transistor de hoja de datos pdf

2SD1616A
fabricante : Unisonic Technologies
descripción : EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

2SD1616A
fabricante : UTC[Unisonic Technologies]
descripción : EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

2SD1616A
fabricante : MICRO-ELECTRONICS[Micro Electronics]
descripción : SILICON TRANSISTOR

2SD1616A
fabricante : Components
descripción : TECHNICAL SPECIFICATIONS EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR

2SD1616A
fabricante : Daya
descripción : TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors

2SD1616A
fabricante : NEC[NEC]
descripción : SILICON TRANSISTORS

2SD1616A
fabricante : UTC[Unisonic Technologies]
descripción : EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

2SD1616A
fabricante : Micro Electronics
descripción : SILICON TRANSISTOR

2SD1616A
fabricante : Weitron Technology
descripción : Transistors

2SD1616A
fabricante : UTC[Unisonic Technologies]
descripción : EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

2SD1616A
fabricante : Micro Electronics
descripción : NPN SILICON TRANSISTOR

2SD1616A
fabricante : NEC
descripción : NPN SILICON TRANSISTORS

2SD1616A
fabricante : Weitron Technology
descripción : NPN Transistors

2SD1616A
fabricante : Dc Components
descripción : TECHNICAL SPECIFICATIONS OF NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR

2SD1616A
fabricante : Daya Electric Group Co., Ltd.
descripción : TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors

2SD1616A
fabricante : NEC
descripción : NPN SILICON TRANSISTORS

2SD1616A
fabricante : Micro Electronics
descripción : NPN SILICON TRANSISTOR

2SD1616A
fabricante : Usha
descripción : Transistor. Audio frequency power amplifier medium speed switching. Collector-base voltage Vcbo = 120V. Collector-emitter voltage Vceo = 60V. Emitter-base voltage Vebo = 6V. Collector dissipation Pc(max) = 0.75W. Collector current Ic = 1A.